Record Details

Особливості формування омічних контактів на основі арсеніду галію

Technology Audit and Production Reserves

View Archive Info
 
 
Field Value
 
Title Особливості формування омічних контактів на основі арсеніду галію
ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Features of forming ohmic contacts on basis of GaAs
 
Creator Дмитрієв, Вадим Сергійович; Zaporozhia State Engineering Academy
 
Subject мікроелектронна композиція, омічний контакт, режими термообробки, арсенід галію.
УДК 621.382. 2/3
микроэлектронная композиция, омический контакт, режимы термообработки, арсенид галлия.
—
microelectronic composition, ohmic contact, modes of heat treatment, GaAs.
—
 
Description Розроблено модель формування мікроелектронної композиції Ag-Ge-In/n-GaAs (111), яка враховує умови термообробки і дозволяє встановити залежність між параметрами омічного контакту та режимами термообробки.
Разработана модель формирования микроэлектронной композиции Ag-Ge-In/n-GaAs (111), которая учитывает условия термообработки и позволяет установить зависимость между параметрами омического контакта и режимами термообработки.
The model of forming microelectronic composition of Ag-Ge-In/n-GaAs (111), which takes into account the terms of heat treatment and allows to set dependence between the parameters of ohmic contact and modes of heat treatment, is developed.
 
Publisher Private company "Technology Center"
 
Contributor —
—
—
 
Date 2012-09-18
 
Type info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
—
—
—
 
Format application/pdf
 
Identifier http://journals.uran.ua/tarp/article/view/4737
10.15587/2312-8372.2012.4737
 
Source Technology audit and production reserves; Vol 3, No 1(5) (2012): INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE. Fundamental research; 35-36
Технологічний аудит та резерви виробництва; Vol 3, No 1(5) (2012): МІЖНАРОДНА НАУКОВА КОНФЕРЕНЦІЯ. Фундаментальні дослідження; 35-36
Технологический аудит и резервы производства; Vol 3, No 1(5) (2012): МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ. Фундаментальные исследования; 35-36
2312-8372
2226-3780
 
Language ukr
 
Relation http://journals.uran.ua/tarp/article/view/4737/4388
 
Rights Copyright (c) 2016 Вадим Сергійович Дмитрієв
Copyright (c) 2016 Технологічний аудит та резерви виробництва
Copyright (c) 2016 Технологический аудит и резервы производства
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0